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          記憶體新布局拓 AI海力士制 標準,開定 HBF

          时间:2025-08-30 20:29:17来源:山西 作者:正规代妈机构
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          • Sandisk and 新布SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

          (首圖來源:Sandisk)

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          SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄(MOU),HBF)技術規範,憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的代妈哪里找緊密合作關係 ,使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的 8~16 倍 ,但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢,

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          (Source:Sandisk)

          HBF 採用 SanDisk 專有的 BiCS NAND 與 CBA 技術,實現高頻寬、

          雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心 ,雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」(High Bandwidth Flash  ,首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世。將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊 ,【代妈应聘机构】成為未來 NAND 重要發展方向之一,

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